张希威，男，理学博士，副教授，1985年10月生，汉族，河南浚县人，中共党员。2008年6月毕业于河南大学物理与电子学院，获理学学士学位；2014年6月毕业于苏州大学功能纳米与软物质研究院凝聚态物理专业，获理学博士学位。研究方向：半导体纳米材料与器件。曾在J. Mater. Chem., J. Mater. Chem. C，Nanotechnology, Applied Surface Science, Materials letters, Applied Physics Express等国际知名期刊上以第一作者发表SCI论文10余篇。主持在研省部级地厅级科学基金项目3项。
一、讲授的主要课程
固体物理学，本科；
二、科研成果
（一）代表性论文
(1)Xiwei Zhang，Jie Mao，Zhibin Shao，Senlin Diao，Dan Hu，ZhenjieTang，Hai-Hua Wu，Jiansheng Jie ，Efficient Photovoltaic Devices based onp-ZnSe/n-CdS core-shell Heterojunctions with High Open-circuit Voltage，Journal of Materials Chemistry C，2017.01.20，5：2107~2113 (SCI一区)；
(2)Xiwei Zhang ，Jiansheng Jie ，Xiujuan Zhang，Fengjun Yu，Bismuth-catalyzed and doped p-type ZnSe nanowires and their temperature-dependent charge transport properties，Journal of Materials Chemistry C，2016.1.28，4：857~862 (SCI一区)；
(3)Xiwei Zhang，Dan Hu，Zhenjie Tang，Dongwei Ma，Construction of ZnSe-ZnO axial p-n junctions via regioselective oxidation process and theirphoto-detection applications，Applied Surface Science，2015.12.1，357：1939~1943(SCI二区)；
(4)Xiwei Zhang ，Zhenjie Tang，Dan Hu，Dan Meng，Shuanwen Jia，Nanoscale p–n junctions based on p-type ZnSe nanowires and their optoelectronic applications，Materials Letters，2016.4.1，168：121~124 (SCI二区)；
(5)Xiwei Zhang ，Xiujuan Zhang ，Xiaozhen Zhang，Yuping Zhang，Liang Bian，Yiming Wu，Chao Xie，Yuanyuan Han，Yan Wang，Peng Gao，Liu Wang，Jiansheng Jie ，ZnSe nanoribbon/Si nanowire p–n heterojunction arrays and their photovoltaic application with graphene transparent electrodes，J. Mater. Chem.，2012.9.6，22（43）：22873~22880；(SCI一区)
(6)Xiwei Zhang ，Xiujuan Zhang ，Liu Wang，Yiming Wu，Yan Wang，Peng Gao，Yuanyuan Han，Jiansheng Jie ，ZnSe nanowire/Si p–n heterojunctions: device construction and optoelectronic applications，Nanotechnology，2013.9.6，24（39）：395201(SCI一区)；
(7)Xiwei Zhang ，Dan Meng，Dan Hu，Zhenjie Tang，Xiaoping Niu，Fengjun Yu，Lin Ju，Construction of coaxial ZnSe/ZnO p–n junctions and their photovoltaic applications，Applied Physics Express，2016.1.21，9（025201）：025201-1~025201-4(SCI二区)；
(8)iwei Zhang ，Dan Meng，Zhenjie Tang，Dan Hu，Dongwei Ma，Surface-dominated negative photoresponse of phosphorus-dopedZnSe nanowires and their detecting performance ，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2016.7.1，27：11463~11469；
(9)Xiwei Zhang ，Zhenjie Tang，Dan Hu，Zhi Wang，Fengjun Yu，Haitao Cui，Tongshuai Xu，Lin Ju，A facile method to oxidize p-type Zinc Selenide nanowires into n-type Zinc Oxide nanowires，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2016.3.01，27（3）：3021~3025；
(10)Xiwei Zhang ，Dan Hu，Dan Meng，Zhenjie Tang，Zhi Wang，Phosphorus-doped p-type ZnS nanowires and their photodetecting applications based on device construction，Journal of Nano Research，2016.7.1，42：65~72；
(11)Xiwei Zhang ，Jiansheng Jie ，Zhi Wang，Chunyan Wu，Li Wang，Qiang Peng，Yongqiang Yu，Peng Jiang，Chao Xie，Surface induced negative photoconductivity in p-type ZnSe : Bi nanowires and their nano-optoelectronic applications，J. Mater. Chem.，2011.3.31，21（18）：6736~6741；
（二）授权专利
(1)揭建胜， 张希威，彭强，王莉，于永强，吴春艳，利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法，2013.2.13，中国，ZL201110087016.7；
(2)张希威，孟丹，汤振杰，胡丹，于凤军，贾拴稳，牛晓平，一种大开路电压纳米异质结太阳能电池，2017.1.11，中国，ZL201620734853.2；
(3)张希威，孟丹，于凤军，胡丹，汤振杰，基于石墨烯和n-型II-VI族半导体纳米线阵列的柔性肖特基太阳能电池，2016.3.2，中国，ZL201520718744.7；
(4)张希威、孟丹， 基于石墨烯和II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列的柔性光电子器件及其制备方法，中国，发明专利，CN201510585315.1。
